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图片仅供参考，请参考产品描述

  • FGH75T65SQDNL4

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：650V/75 FAST IGBT FSIII T
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）200A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)200A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.1V @ 15V，75A
  • 功率 - 最大值375W
  • 开关能量1.25mJ（开），1.26mJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷152nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值44ns/208ns
  • 测试条件400V，75A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）134ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-4
  • 供应商器件封装TO-247-4L

其它信息

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