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HGTG40N60B3相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • HGTG40N60B3

  • 制造商：ON Semiconductor / Fairchild
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.4 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:70 A
  • Pd-功率耗散:290 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 系列:HGTG40N60B3
  • 封装:Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic:70 A
  • 高度:20.82 mm
  • 长度:15.87 mm
  • 宽度:4.82 mm
  • 商标:ON Semiconductor / Fairchild
  • 集电极连续电流:70 A
  • 栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:450
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:HGTG40N60B3_NL
  • 单位重量:6.390 g

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