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图片仅供参考,请参考产品描述

  • SSVMUN5312DW1T2G

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 批号:19+
  • 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
  • PDF下载:
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 电阻器 - 基底(R1)22 千欧
  • 电阻器 - 发射极基底(R2)22 千欧
  • 不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)60 @ 5mA,10V
  • 不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500nA
  • 频率 - 跃迁-
  • 功率 - 最大值187mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

其它信息

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